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采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜，然后用热化学气相淀积（T-CVD）的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列，用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性，并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较。当发射电流密度达到10gA／cm^2时，无图形化处理的碳纳米管薄膜、10μm碳纳米管线阵列以及2μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3V／μm、2．1V／μm和1．7V／μm；而当电场强度达3．67 V／μm时，相应的电流密度分别为2．57mA／cm^