【摘 要】
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本文在水平生长 GaAs 单晶中首次应用了等电子掺杂技术,在制备大截面晶体进一步降低位错密度方面取得了显著效果。研制的 HB-12型单晶(100)片面积达到12cm~2,位错密度
【机 构】
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营口市辽河电子材料厂,营口市辽河电子材料厂,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文在水平生长 GaAs 单晶中首次应用了等电子掺杂技术,在制备大截面晶体进一步降低位错密度方面取得了显著效果。研制的 HB-12型单晶(100)片面积达到12cm~2,位错密度<500cm~(-2),研制的 HB-18型单晶(100)片面积达18cm~2,位错密度<5000cm~(-2)。
In this paper, the first time in the level of growth of GaAs single crystal doped with electronic technology, preparation of large cross-section crystals to further reduce the dislocation density achieved remarkable results. The developed HB-12 single crystal (100) has an area of 12cm ~ 2, a dislocation density of <500cm ~ (-2), a developed HB- <5000cm ~ (-2).
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