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研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响，通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2．9μm、3．8μm、4．6μm的3批样品，采用扫描电子显微镜（SEM）和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率，分析了腐蚀深度与后续各制程的关系。对比了绒面反射率及电性能参数，确定了最佳的腐蚀深度。
不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池电性能的影响
【摘 要】
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研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响，通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2．9μm、3．8μm、4．6μm的3批样品，采用扫描电子显微镜（SEM）和光谱响应系统表征了表面形貌
【机 构】
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英利能源（中国）有限公司,风帆光伏能源有限公司
【出 处】
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材料导报：纳米与新材料专辑
【发表日期】
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2012年2期
【基金项目】
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太阳能光伏发电技术国家重点实验室建设项目（10963922D）
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