【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅衬底上制备出Al掺杂ZnO（AZO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致荧光发光（PL）等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面
【机 构】
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新疆工程学院基础部,哈尔滨工业大学化工学院
【基金项目】
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新疆工程学院校级课题（20125XGZ051312,2012XGZ171312）
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采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅衬底上制备出Al掺杂ZnO（AZO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致荧光发光（PL）等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响.结果显示,硅衬底和玻璃衬底均出现了（100）和（002）衍射峰,玻璃的（002）衍射峰强于硅.同时随着退火时间的延长,（002）峰强度基本不变,（100）峰的强度逐渐增强,薄膜呈（100）取向生长,表明退火时间可能会引起晶体生长过程中择优取向的改变.退火1.5h样品可以得到最佳的（002
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