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用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外处层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量，Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外延层组成的主要因素。
MOCVD外延生长GaInAsSb合金半导体薄膜的模式识别和人工神经网络研究
【摘 要】
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用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外处层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量，Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外延层组成的主要因素。
【机 构】
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华东理工大学化学系
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1997年4期
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