用激光制造Si太阳电池的p-n结

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美国麻省理工学院林肯实验室最近研究成功了利用激光制作p-n结的方法(Electronics,June 16,1981,pp.39—40)。这种方法非常简单,用一步工序就可作成p-n结,而且设备简单,容易实现连续自动化,所以适用于制造Si带状晶体等太阳电池。制 Recent research at the Massachusetts Institute of Technology Lincoln Laboratory has succeeded in producing p-n junctions using lasers (Electronics, June 16, 1981, pp. 39-40). This method is very simple, p-n junction can be made in a single step, and the device is simple and easy to achieve continuous automation, it is suitable for manufacturing solar cells such as Si ribbon crystal. system
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