ADMIRE低管电压CT扫描对上腹部平扫患者辐射剂量及图像质量的影响

来源 :中国民康医学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:abcttf2005
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目的:观察高级模型迭代重建算法(ADMIRE)低管电压CT扫描对上腹部平扫患者辐射剂量及图像质量的影响.方法:回顾性分析2019年7月至2020年7月该院收治的70例行上腹部CT扫描患者的临床资料,依据管电压不同分为观察组36例和对照组34例.对照组采用ADMIRE常规管电压CT扫描,观察组采用ADMIRE低管电压CT扫描,比较两组肝脏、竖脊肌CT值,辐射剂量相关指标[剂量长度乘积(DLP)、有效辐射剂量(ED)、容积CT剂量指数(CTDIvol)]水平,主观图像质量、客观图像质量[背景噪声标准差(SD)、信噪比(SNR)、对比噪声比(CNR)].结果:两组肝脏、竖脊肌CT值比较,差异无统计学意义(P>0.05);观察组CTDIvol、DLP、ED均低于对照组,差异有统计学意义(P0.05);观察组背景噪声SD低于对照组,肝脏SNR、肝脏CNR高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05).结论:ADMIRE低管电压CT扫描在上腹部平扫患者中的应用效果较好,可减少辐射剂量,提高客观图像质量,优于ADMIRE常规管电压CT扫描.
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采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO2磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si3N4)的去除速率选择性难以控制的问题进行了研究.分散实验结果表明,由于柠檬酸可以结合在CeO2颗粒表面从而极大提高了CeO2磨料的空间位阻,CeO2溶液的分散稳定性得到提升,因此,与酒石酸、硝酸和磷酸相比,在CeO2溶液中使用柠檬酸作为pH调节剂,可以使CeO2磨料具有更小的粒径和较低的分散度以及使CeO2溶液具有较高绝对值的Zeta电位.抛光实验结果
目的:观察健脾导滞交通汤联合常规西药治疗糖尿病性胃轻瘫(DGP)患者的效果.方法:选取90例DGP患者作为研究对象,依据随机数字表法分成对照组和观察组各45例.对照组采用常规西药治疗,观察组在对照组基础上采用健脾导滞交通汤治疗,比较两组临床疗效、治疗前后胃泌素(GAS)和胃动素(MOT)水平,以及不良反应发生率.结果:观察组治疗总有效率为95.56%(43/45),高于对照组的80.00%(36/45),差异有统计学意义(P<0.05);治疗后,观察组GAS和MOT水平均低于对照组,差异有统计学意义?(P
目的:分析液基细胞学检查(TCT)、人乳头瘤病毒(HPV)-DNA、P16蛋白联合检查在早期宫颈癌筛查中的应用价值.方法:选取182例宫颈病变患者作为研究对象,入选者均行TCT、HPV-DNA、P16蛋白检查.以阴道镜下活检结果为金标准,比较TCT、HPV-DNA、P16蛋白单项及联合检查在早期宫颈癌诊断中的效能.结果:182例宫颈病变患者中,经阴道镜检出阳性110例,占60.44%;TCT、HPV-DNA、P16蛋白联合检查诊断早期宫颈癌的灵敏度、准确度、特异度、阳性预测值和阴性预测值均明显高于单项检查
目的:分析超声剪切波弹性成像(SWE)在甲状腺结节良恶性鉴别中的诊断效能.方法:回顾性分析该院2019—2020年收治的88例甲状腺结节患者的临床资料.对其进行二维超声和SWE检查,以手术病理结果为金标准,比较二维超声与SWE对良恶性甲状腺结节的诊断效能,以及诊断甲状腺恶性结节的图像特征.结果:手术病理结果显示,良性结节36例,恶性结节52例;SWE诊断甲状腺结节良恶性的特异度、灵敏度、准确度、阳性预测值和阴性预测值均高于二维超声,差异有统计学意义(P<0.05);SWE检查甲状腺恶性结节低或极低回声检出
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能量为3.6 J/cm2.退火后采用扫描电子显微镜(SEM)观察晶圆背面碳团簇,针对背面的碳团簇问题,在Ar2气氛下对晶圆进行了表面处理,使用SEM和探针台分别对两组样品的表面形貌和电压-电流特性进行了对比分析.实验结果表明,通过表面处理可以有效降低表面的碳含量,并
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线.从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的控制这三个方面改善了滑移线.结果 表明,随着衬底倒角背面幅长和基座背面凹槽深度的增加,外延片的滑移线长度均呈现先减小后增大的趋势.衬底倒角最佳背面幅长为500 μm,基座背面凹槽的最佳深度为0.80 mm.同时,在873 K下恒温3 min的升温工艺可以减少厚层硅外延片的滑移线.
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为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR) ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构.该结构一方面可以缩短产生高位数码字过程中的转换时间,提高量化速度;另一方面其可以延长大电容的稳定时间,减小参考电压的负载.通过缩小比较器输入对管的面积以减小寄生电容带来的误差,提升高位数字码的准确度.同时,利用一次性校准技术减小比较器的失配电压.最终,采用