L波段0.5mmSiCSIT

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:DirtySnow
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作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiCSIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5pm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5ram栅宽SiCSIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2GHzCW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7.55W/cm,功率增益在7.3dB;在1.4GHzCW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4.4W/cm,功率增益在5.76dB。
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