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首先采用注硅的方法改进SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料,对硅注入在SIMOX材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述。并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。最后,对利用注硅改进的SIMOX材料制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.
注硅对SIMOX材料性能影响的研究
【摘 要】
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首先采用注硅的方法改进SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料,对硅注入在SIMOX材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述。并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。最后,对利用注硅改进的SIMOX材料制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.
【机 构】
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中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100039
【出 处】
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第六届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2007年4期
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