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采用二步合成法制备了掺杂22％Sb203的 Pb （ Zn1/3 Nb2/3 ） 0. 20 （ Zr0.50Ti0.50 ） 0. 80O3-0.5 % MnO2（PZNTM）压电陶瓷（Sb20。的质量分数为z=0、0．1、0．3、0．5、O．7、0．9）。探讨了不同剂量sb：0。掺杂对陶瓷试样的相结构和机电性能的影响。结果表明，在1150℃下烧结3h，得到处在准同型相界附近的纯钙钛矿结构的陶瓷；随着sbz（）s掺杂量的增加，试样的压电常数d33和机电耦合系数k。先增大后减小，而介电损耗tanδ持续上升