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研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H-SiC衬底上的GaN光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量,获得了GaN探测器在波长250nm-360nm范围近于平坦的光电流响应,并且观察到在365nm(~3.4eV)带边附近陡峭的截止边。测得GaN探测器在5V偏压下在360nm波长处的光电流响应度为133A/W,并得到了其响应度与外加偏压的关系。通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据,获得了GaN探测器的响应时间。