【摘 要】
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研究了以正硅酸乙酯（TEOS）和甲基三乙氧基硅烷（MeSi（OEt）3）为混合硅源,十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,采取旋涂技术,在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜,再经过正硅酸乙酯（TEOS
【机 构】
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上海第二工业大学环境工程系,上海纳米材料检测中心
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研究了以正硅酸乙酯（TEOS）和甲基三乙氧基硅烷（MeSi（OEt）3）为混合硅源,十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,采取旋涂技术,在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜,再经过正硅酸乙酯（TEOS）蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道内的模板剂,制备出具有超低介电性能的氧化硅薄膜。使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征,并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数（k）,纳米硬度计测量薄膜的弹性模量。介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15d后,介电常数仍旧维持在超低值范围内,k=1.80,弹性模量大于6GP,很好地满足了其在超大规模集成电路中应用的要求。
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