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近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使金刚石MOSFET的结构更为简单，降低了制造难度。验证表明，新方法可将宽禁带半导体的载流子迁移率提高一个数量级。
构建金刚石金属氧化物半导体场效应管的全新概念
【摘 要】
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近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使金刚石MOSFET的结构更为简单，降低了制造难度
【出 处】
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新材料产业
【发表日期】
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2017年12期
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