【摘 要】
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<正> 砷化镓单晶材料是当今世界移动通讯、微波光电集成电路及光电子领域中的基础衬底材料。国际上GaAs单晶生长方法的主流技术是:液封直拉(LEC)法和水平布里奇曼(HB)法。随
【机 构】
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北京有色金属研究总院 北京 100088
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<正> 砷化镓单晶材料是当今世界移动通讯、微波光电集成电路及光电子领域中的基础衬底材料。国际上GaAs单晶生长方法的主流技术是:液封直拉(LEC)法和水平布里奇曼(HB)法。随着砷化镓单晶材料朝大直径、高质量、低成本方向发展,垂直梯度凝固技术VGF法生长GaAs晶片具有设备结构简单,操作方便,易实现自动控制,适合产业化生产,晶体具有温度梯度小、热应力小,位错密度低,甚至可生长无位错单晶等特点。近几年,国际上采用VGF法生长GaAs单晶已进入φ4’’产业化,φ6’’正处于产业
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