Si／Co／Cu／Co多层膜中巨磁电阻效应及与微结构的关系

来源 :南京航空航天大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：achiao172

【摘要】

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用超高真空电子束蒸发方法在Si(100)衬底上制备了Si/Co/Cu/Co多层膜.发现当Si层厚度达到0.9 nm时,多层膜中开始出现较强的平面内各向异性巨磁电阻效应.在Si 1.5 nm/Co 5 nm/C

【作者】

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沈鸿烈

【机构】

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南京航空航天大学材料科学与技术学院

【出处】

：

南京航空航天大学学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

巨磁电阻效应平面内各向异性电子束蒸发多层膜 giant magnetoresistance effect in-plane anisotropy el

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用超高真空电子束蒸发方法在Si(100)衬底上制备了Si/Co/Cu/Co多层膜.发现当Si层厚度达到0.9 nm时,多层膜中开始出现较强的平面内各向异性巨磁电阻效应.在Si 1.5 nm/Co 5 nm/Cu 3 nm/Co 5 nm多层膜中,作者在其易轴上得到了5.5%的巨磁电阻值和0.7%/Oe的磁场灵敏度.用X射线衍射和透射电镜研究了Si/Co界面之间的相互扩散,发现在Si层与Co层间形成了Co-Si化合物层,这个硅化物界面层诱导了其上的Co/Cu/Co三明治膜中的平面内磁各向异性乃至整个多层膜的

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