【摘 要】
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采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC费米面附近的电子结构;B掺杂使得禁带宽度减
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金(61264004);贵州省教育厅“125”重大科技专项(黔教合重大专项字[2012]003);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015]4015);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC[2015]026);贵州省科技合作计划项目(黔科合LH字[2015]7218)
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采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC费米面附近的电子结构;B掺杂使得禁带宽度减小,价带顶上移,费米能级进入价带,形成p型半导体;N掺杂使得禁带宽度减小,导带底下移,费米能级进入导带,形成n型半导体.B、N掺杂均提高了3C-SiC在低能区的折射率、消光系数和吸收系数,增强了对红外光谱的吸收.
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