半导体激光器在阈值处电学性质突变对应的物理图像

来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Baggio_Fu
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对激光二极管(LDs)在阈值处不连续的电学特性作了详细分析,结果发现,各电学参量的突变之间存在紧密的内在关联。由表观IdV/dI-I曲线在阈值处的跳跃能直接得出结电导、结电压、串联电阻和理想化因子在阈值处的突变,因而证实传统的电学测量方法只能描述平均效果,忽略了各电参量随正向电流变化的详细信息。进一步实验表明,LDs在阈值附近的电特性的突变与光激射密切相关,这将为改进现有的LDs理论提供帮助。 A detailed analysis of the discontinuous electrical characteristics of laser diodes (LDs) at the thresholds reveals that there is a close internal correlation between the abrupt changes in the electrical parameters. The jumping of the apparent IdV / dI-I curve at the threshold directly leads to the sudden change of the junction conductance, junction voltage, series resistance and idealization factor at the threshold, thus confirming that the traditional electrical measurement method can only describe the average effect, ignoring The electrical parameters with the forward current changes in detail. Further experiments show that the sudden change of LDs near the threshold value is closely related to the photo-induced lasing, which will help to improve the existing LDs theory.
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