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通过实验和理论计算，分析了InP／Si键合过程中，界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围。分析结果表明，由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因，为保证良好的键合质量，InP／Si键合退火温度应该在300～350℃范围内选取。具体实验验证表明，该理论计算值与实验结果相一致。最后，在300℃退火条件下，很好地实现了2in InP／Si晶片键合，红外图像显示，界面几乎没有空洞和裂隙存在，有效键合面积超过90％。