论文部分内容阅读
本文提出一种简便的模拟绝缘栅双极性晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)的方法,利用外部特性参数提取、换算模型参数,通过建立Protel 99SE中的数据库项,能够对任意新型号的IGBT进行仿真.文中给出一个实际器件的模拟结论,验证了方法的可行性.