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为分析IC多层版图扫描电镜(SEM)对准检测所利用的负带电成像原理，采用Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式，对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了Monte Carlo模拟，得到负带电绝缘物表面的局部电位分布，在此基础上计算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹，获得了SEM像的二次电子信号电流，结果表明，在弱负带电条件下，照射点处表面电位越低，返回表面的二次电子就越多，对应的二次电子信号电流越弱，此结果与SEM实验中图像亮度随照射时间的变化规律相符。