【摘 要】
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本文研究了基于衬底偏置MOSFET的阈值电压可调节特性及其低压特性,通过对所有MOSFET衬底偏置设计实现了超低压两级运算放大器。在0.8V的电源电压下,该运放的直流开环增益为89
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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本文研究了基于衬底偏置MOSFET的阈值电压可调节特性及其低压特性,通过对所有MOSFET衬底偏置设计实现了超低压两级运算放大器。在0.8V的电源电压下,该运放的直流开环增益为89dB,相位裕度为67°,失调电压约为737.5μV,其单位增益带宽(GB)为440kHz,输入共模范围为65.3~734.1mV,输出电压范围为53.3~737.3mV。
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