【摘 要】
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SRAM型FPGA内部高密度BRAM存储模块作为用户存储资源，在空间运行中易受单粒子翻转效应影响，造成用户数据失效，EDAC技术被广泛采用作为其容错手段。对于商用型SRAM-FPGA，编码／解码
【机 构】
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北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院
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SRAM型FPGA内部高密度BRAM存储模块作为用户存储资源，在空间运行中易受单粒子翻转效应影响，造成用户数据失效，EDAC技术被广泛采用作为其容错手段。对于商用型SRAM-FPGA，编码／解码模块可靠性对EDAC容错技术有效性具有很大影响，因此本文在考虑编码／解码模块可靠性影响情况下，对商用SRAM-FPGA内嵌BRAM存储器进行EDAC容错技术可靠性建模，并得到提高BRAM可靠性需满足的编码／解码模块的可靠性参数限制条件关系式，最后通过仿真验证其模型的合理性及限制条件关系式的正确性，为相关工程设计中S
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