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强反型界限相关论文
对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究
利用对称薄膜双栅MOSFET在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,以硅膜达到体反型时的泊松方程为基础,得到一个有效的双栅nMOS器件模型......
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MOSFET
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跨导最大变化法
强反型界限
Thin-film double-gate
MOSFET
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