【摘 要】
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随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件。但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低
【机 构】
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中国电子科技集团公司第58研究所,西安电子科技大学微电子学院
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随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件。但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低,使得器件更容易受到ESD损伤。采用传统的ESD结构会显著增加节点电容,节点电容的增加会限制电路接口速率的增加。采用中芯国际（SMIC）0.13μm工艺,设计实现了一种ESD保护电路,I/O端口翻转速率达到2 Gbps,对人体模型耐压达到2000 V。经过仿真验证、流片验证,设计的结构达到了该芯片抗静电能力以及端口高速传输速率的要求
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