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本文用能量为600eV、束流密度为0.5mA·cm<sup>-2</sup>垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅上不同宽度的沟槽（15μm、10μm、5μm）进行了不同时间的离子束蚀刻,发现在槽底靠近槽壁处出现了凹沟现象,建立了入射离子在斜壁上反射的理论模型,并通过计算机模拟和实验结果进行了比较。
离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌：凹沟现象的研究
【摘 要】
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本文用能量为600eV、束流密度为0.5mA·cm<sup>-2</sup>垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅上不同宽度的沟槽（15μm、10μm、5μm）进行了不同时间的离子束蚀刻,发现在槽底靠
【机 构】
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陕西师范大学物理系,中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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表面技术
【发表日期】
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1989年5期
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