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在国产分子束外延设备的基础上，利用新型阀控裂解As源炉，对AS2和AS4的生长特性进行了全面的研究，以AS2和AS2两种模式，在（001）InP衬底上生长了高质量的InAsP体材料和InAsyP1-y/InP多量子阱样品，材料质量用X射线衍射（XRD）以及室温和低温的光致发光（PL）测定，实现发现，两种模式生长的样品的晶体结构质量相当，但AS2的吸附系数明显大于AS4的吸附系数，另外，用AS2模式生长的多量子阱样品的室温光学特性优于AS4模式生长的样品，但在低温时，二者几乎相同，这是由AS4较为复杂的生长