B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：litao2006

【摘要】

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采用两步合成工艺，制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1-x（Mg1/3Nb2/3）xO3系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子取代对BNT陶瓷的晶体结构及压电与介电性能的影响。X射线衍射分析表明，所研究的

【作者】

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单召辉刘心宇杨桂华周昌荣

【机构】

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桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林工学院电子与计算机系

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

：

钛酸铋钠复合离子压电介电性能弥散相变 sodium-bismuth titanate complex ions piezoelectric and die

【基金项目】

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广西自然科学基金（No.0447092）

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采用两步合成工艺，制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1-x（Mg1/3Nb2/3）xO3系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子取代对BNT陶瓷的晶体结构及压电与介电性能的影响。X射线衍射分析表明，所研究的组成均能够形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体；当x=0．015时，该体系陶瓷具有较佳的压电性能：压电常数d33=101pC／N；kt=0．48。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。该体系陶瓷具有高kt值，低kp值；其比值kt／kp较大，具有较大的各向异性，是一种适合高频下使用的优良

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