【摘 要】
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在直角散射配置下测量了纳米硅样品的拉曼散射谱及其退火温度的关系。结果表明，在８００℃以下退火的样品只观察到单晶硅衬底的光学声子模，在９００℃以上退火，才观察到纳米硅的特征拉曼散射
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
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在直角散射配置下测量了纳米硅样品的拉曼散射谱及其退火温度的关系。结果表明，在８００℃以下退火的样品只观察到单晶硅衬底的光学声子模，在９００℃以上退火，才观察到纳米硅的特征拉曼散射峰。在１２００℃下退火后，纳米硅的特征拉曼散射峰消失，观察到类似于非晶硅的光学声子特征峰，可能表示纳米硅不能承受这样的高温热退火。这些结果进一步证实了光致发光谱的结果。
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