【摘 要】
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日本电气中央研究所今年10月在日本举行的第41届应用物理学会学术讲演会上发表了关于 InGaAsP-InP 激光器的横模控制的报告。其横模控制是用隐埋的平凸台面肋骨波导(Bu-ried
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日本电气中央研究所今年10月在日本举行的第41届应用物理学会学术讲演会上发表了关于 InGaAsP-InP 激光器的横模控制的报告。其横模控制是用隐埋的平凸台面肋骨波导(Bu-ried Rib Waveguide:BRW)构造实现的。器件的性能结果良好。器件的制作是:用液相外延法在 InP 衬底上依次生长 n-InP(缓冲层,～3μm)InGaAsP(有源层～0.22μm),p-InGaAsP(波导层0.58μm),p-InP(包层,～1.8μm);接着刻
The NEC Central Research Institute delivered a report on the transverse mode control of InGaAsP-InP lasers at the 41st Institute of Applied Physics Symposium held in Japan in October this year. Its transverse mode control is implemented with a buried Bu-ried Rib Waveguide (BRW). The performance of the device is good. The device was fabricated by sequentially growing n-InP (buffer layer, ~3 μm) InGaAsP (active layer ~ 0.22 μm), p-InGaAsP (waveguide layer 0.58 μm), p-InP (Cladding, -1.8 μm); then engraved
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