【摘 要】
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研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５５ｍｅＶ。而且，发现在样品中的深辐射能级的荧
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研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５５ｍｅＶ。而且，发现在样品中的深辐射能级的荧光效率也受到快速热退火的影响。实验结果证明快速热退火能大大改进生长以后的应变量子阱结构的晶体质量，而且是提高激光器件特性的一个重要途径。
The effect of rapid thermal annealing on the optical properties of a strained InAS / InP single quantum well (SQW) structure was investigated. After annealing at 700 ℃ for 5s, the fluorescence intensity of the quantum well increased by 4 times at 8K, and the fluorescence peak of the quantum well was only blue shifted by 1.55meV. Moreover, it was found that the fluorescence efficiency of the deep radiant level in the sample was also affected by rapid thermal annealing. The experimental results show that the rapid thermal annealing can greatly improve the crystal quality of the strained quantum well structure after growth and is an important way to improve the characteristics of the laser device.
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