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上海和旧金山2012年3月15日电/美通社亚洲/一中微半导体设备有限公司(以下简称“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSv)刻蚀设备PrimoTSV200E--该设备结构紧凑且具有极高的生产率,可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子刻蚀设备Primo D-RIE和Primo AD-RIE之后,中微的这一TSV刻蚀设备将被用于生产芯片的3D封装、CMOS图像感测器、发光二极管、微机电系统等。