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采用3303#工业硅进行多晶硅真空定向凝固实验,通过实验和数值模拟结合研究了保温温度对多晶硅真空定向凝固过程中铸锭内部的晶体生长取向、杂质去除效果及杂质分布形态的影响。研究表明:下拉速度10μm/s、保温时间0.5 h、保温温度1730 K条件下形成的多晶硅铸锭内部晶体生长取向、除杂效果、杂质分布形态及各项指标最优;当保温温度≥1760 K时,凝固过程中的固态硅料发生重熔,硅锭内部热应力的释放能力减弱,致使晶体内部缺陷明显增加;重熔也会造成最终凝固完成后铸锭内部开裂,固液界面凹凸不平,严重影响大尺寸柱状晶