【摘 要】
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为解决功率 MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题 ,从 MOSFET的模型入手 ,给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型 ,深入分析了栅极振荡的产生机理 ,推
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为解决功率 MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题 ,从 MOSFET的模型入手 ,给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型 ,深入分析了栅极振荡的产生机理 ,推导了各参数与振荡之间的关系表达式 ,绘制了以各参数为自变量的振荡三维时域暂态关系曲线 ,并以此为依据进行参数优化设计 ,通过增加 MOSFET开通时间 ,最大程度地抑制振荡。理论分析和实验结果表明 ,改进后的驱动电路简单、实用 ,实现了系统的安全稳定运行
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