国外硅功率晶体管发展概况

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功率晶体管是电流放大器件,其参数依赖于结构和几何图形。有四个重要参数:击穿电压、电流增益、速度和功率耗散。它们相互制约,限制着功率晶体管的设计。功率晶体管的设计有不同的方案,因而出现了几种不同的结构,其各种结构的优缺点归纳于表1。 Power transistors are current amplifier devices whose parameters depend on the structure and geometry. There are four important parameters: breakdown voltage, current gain, speed and power dissipation. They restrict each other, limiting the design of power transistors. Power transistor design has different programs, resulting in several different structures, the advantages and disadvantages of various structures summarized in Table 1.
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