K在C_(60)单晶中的扩散通量研究

来源 :浙江大学学报(理学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:PM123nx
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通过电阻率测量研究了K原子在C60单晶中的扩散深度与时间的关系,得出温度为230℃时K原子在C60单晶中的扩散系数约为10-15m2s-1.由扩散系数估算出制备0.1mm厚K3C60单晶约需1452小时扩散时间,而1mm厚单晶约需16年,因而毫米级K3C60单晶几乎是不可能制成的,对K原子扩散通量的计算结果表明,要使样品中(尤其是表面附近)不形成K6C60相,扩散初期样品附近K蒸气的压强不宜超过1×10-6Tor,并应随时间的(-1/2)次方而减小.在这个工作基础上,对文献中一些矛盾的结果作了较为满意的解释. The diffusion depth of K atom in C60 single crystal was studied by resistivity measurement. The diffusion coefficient of K atom in C60 single crystal was about 10-15m2s-1 at 230 ℃. It is estimated from the diffusion coefficient that a 0.1mm thick K3C60 single crystal takes about 1452 hours to diffuse, whereas a 1mm thick single crystal takes about 16 years. Thus, a millimeter-scale K3C60 single crystal is almost impossible to produce, and the K atom diffusion flux The calculation results show that for the K6C60 phase not to form in the sample (especially near the surface), the pressure of K vapor in the vicinity of the initial diffusion should not exceed 1 × 10 -6 Tor and should be (-1/2) times Decrease On the basis of this work, some contradictory results in the literature made a more satisfactory explanation.
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