【摘 要】
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报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温性测试结果。同时，研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响，并对比了热处理前后器件的室温特性。实验证
【基金项目】
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国家“九五”重点科技攻关资助项目 ( 97-76 1-0 3-0 1)~~
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报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温性测试结果。同时，研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响，并对比了热处理前后器件的室温特性。实验证明：室温下，器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安持性，反向漏电流较小，最大跨导可达47mS/mm；经过300℃、30min热处理后器件的室温输出特性有显著改善，而且器件饱和压降明显降低，说明300℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏。
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