a-Si∶H相关论文
本文报道了用微波等离子体化学气相淀积(MP—CVD)技术从 SiH_4+H(?)进行 a-Si∶H 薄膜的高速淀积研究。对淀积参数对淀积行为的影......
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列（20×20）。用傅里叶变换红外光谱仪......
采用微波ECR CVD系统制备了a-Si:H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析.a-Si:H薄膜中氢......
采用HWCVD法双面沉积aGSi∶H 膜钝化n-CzGSi片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a......
采用真空热蒸发与PECVD方法，在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a-Si:H复合薄膜，并利用扫描电子显微镜，X射线衍射，Raman......
利用“差分电容膨胀计”方法，首次发现氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）在光照下面积体积增大，著名的Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应（ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致亚稳变化）很可能是这种“光膨胀”的后效应。......
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍......
