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利用Bitter粉纹法观察了未经磁化、受力程度不同的无取向硅钢片试件的磁畴结构，对比分析了应力对磁畴及磁场值△B的影响。结果表明：无取向硅钢试件在禾受力或应力集中较小时，晶粒内磁畴以180°剑状畴为主，同一晶粒内畴壁相互平行；随着应力集中程度增加，畴壁长度和间距发生改变，出现了迷宫畴，并且随着应力集中程度越大，迷宫畴的数量越多，表面磁场值LxB越大。试验为探讨磁记忆检测的微观机理提供了依据。