【摘 要】
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1.前言离子注入法是在真空中将离子加速,然后注入固体表面层的方法。这种方法具有各种优良的特性,作为向半导体中掺杂元素的技术,在目前的电子工业中占有重要地位。70年代初
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1.前言离子注入法是在真空中将离子加速,然后注入固体表面层的方法。这种方法具有各种优良的特性,作为向半导体中掺杂元素的技术,在目前的电子工业中占有重要地位。70年代初期英国的 Harwell 研究所、美国海军研究所等部门首先将离子注入技术用于处理半导体以外的材料,例如用作金属等材料的改性处理。
1. Introduction Ion implantation is the method of accelerating ions in a vacuum and then injecting a solid surface layer. This method has a variety of excellent properties, as the technology of doping elements in semiconductors, occupies an important position in the current electronics industry. In the early 1970s, the Harwell Research Institute in the UK and the US Navy Research Institute first used ion implantation technology for processing materials other than semiconductors, for example, as a material for metal modification.
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