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介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下，提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明，关键是减少基区总宽度，而在制备工艺中设法减少基区少子寿命的衰减也是有效措施之一。
改进SSPD浪涌吸收能力的工艺研究
【摘 要】
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介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下，提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明，关键是减少基区总宽度
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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广东省自然科学基金
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