Rhn(n=2~20)团簇结构和磁特性

来源 :计算物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Robert_1967
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
使用紧束缚近似多体势和遗传算法,计算了Rhn(n=2~20)团簇的基态结构.据优化结构计算了平均键长(-R),平均配位数(CN),单原子平均束缚能Eb,使用自洽的4d,5s,5p价电子紧束缚模型,计算了单原子平均磁矩-μn和Rhn(n=15,17,18,19)团簇的总的平均电子态密度.结果初步揭示了小铑团簇结构、电子和磁特性之间的关系.
其他文献
报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相
A novel tuning fork micromachined gyroscope, based on slide-film damping, is presented. The electrostatic driving gyroscope consists of two driving masses each
A new type of locomotion mechanism is introduced in this paper. With vibrating motors used in controling the movement of the hopping locomotion mechanism, the s
在相同激光扫描速度(20mm/s)和不同激光功率(150W,200W,250W,300W)工艺条件下,利用CO2激光对铁磁Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带进行了辐照处理,诱导非晶带样品发生纳米晶化。应
水热法合成了钴取代磷铝酸盐分子筛CoAPO-11,并采用了X射线衍射、扫描电子显微镜、红外光谱、紫外可见光谱以及氮气吸脱附等表征手段对合成的样品进行表征,并在合成的分子筛
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟Si
脉冲激光辐照处于不同背景气压下的Hg0.8Cd0.2Te材料表面,用时间和空间分辨诊断技术探测了激光照射后产生的等离子体发射谱,根据所获得的飞行时间谱测量了等离子体中粒子的出
合成了聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAM)与Mn2+的配合物,并用荧光光谱、UV-Vis、FTIR、XPS进行了初步表征.说明Mn2+与PNIPAM侧链羰基氧或亚氨基氮原子发生了配位作用.由于Mn2+的发
选择低密度聚乙烯(LDPE)为主体材料,二苯醚(DPE)为稀释剂,研究了淬冷温度、粗化时间等影响液滴生长的动力学因素对热诱导相分离法(T IPS)制备LDPE/DPE微孔膜结构的影响。结果
利用地下圆形衬砌隧道对入射平面P波和SV波散射级数解答,定量分析了入射波长、入射角度、隧道直径、衬砌刚度等因素对沿线地表位移放大作用的影响。计算结果表明,当入射频率