薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhaoyangfei1

【摘要】

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成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟Si

【作者】

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李竞春谭静杨谟华张静徐婉静

【机构】

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电子科技大学微电子与固体电子学院,模拟集成电路国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

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应变硅锗硅虚衬底 p型场效应晶体管 strained-Si virtual SiGe substrates pMOSFET

【基金项目】

：

国家重点实验室基金;

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成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1.02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件.

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