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报道了ＳＯＩ材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法，详细地研究了ＳＩＭＯＸ材料的红外吸收光谱特性，求出了特征峰对应的吸收系数，提出利用红外吸收光谱测量ＳＩＭＯＸ绝缘埋层厚度的非破坏性方法，并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度。ＳＩＭＯＸ薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是ＳＯＩ电路设计时最重要的两个参数，提供的非破坏性测量方法，测量误差小于５％，在ＳＩＭＯＸ材料开发利用、批量生产中，用此方法可及时方便地检