Sol—Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术

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为制备Al/pzt/pT/Ti电容,研究了采用SF6/Ar等离子体对Pb(Zr,Ti)O3及Pt/Ti底电极进行反庆离子刻蚀的技术。较系统地研究了RF功率,SF6/Ar流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对PZT及Ti进行RIE的优化工艺条件,在不同的条件下得到对PZT的刻蚀速率为2-7nm/min;采用纯Ar气体时Pt的刻蚀速率为2-6nm/min;对于Ti可用HCl及H2O2溶液进行腐蚀。
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