压阻加速度计的Au—Si共晶键合

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caonimalegebicaonima

【摘要】

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通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合（365℃保温10min），再进行下帽与结构片的键合（380±10℃保温20min），成功进行了三层键合。测得的键合强度约为230Mpa，硅片-基体/SiO2/Cr/Au

【作者】

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王翔张大成等

【机构】

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北京大学微电子学研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2003年3期

【关键词】

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金硅共晶键合压阻式加速度计封装 gold silicon eutectic bonding piezoresistive accelerometer

【基金项目】

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国家重点基础研究发展规划资助项目 (合同号 :G19990 3310 8)~~

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通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合（365℃保温10min），再进行下帽与结构片的键合（380±10℃保温20min），成功进行了三层键合。测得的键合强度约为230Mpa，硅片-基体/SiO2/Cr/Au层和硅片之间键合时，SiO2溶解而形成CrSi2硅化物。共晶反应因Cr层而被推迟，键合温度高出共晶温度20℃左右，从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染，进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响。试验还证明硅基体-SiO2/Cr/Au/Poly-Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一

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