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对MIS(金属-绝缘体-半导体)接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察．结果表明，负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到CdSe晶片中，且晶片表面的电子能级密度越高，电子注入就越快，探测器的漏电流也越大．对探测器进行适当的热处理，可以降低表面能级密度，从而抑制电子注入，降低探测器的漏电流，改善探测器的能量分辨率．