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提出了一种适用于低功耗LDO的新型CMOS电流基准结构,该电路利用处在饱和区以及亚阈值区MOS管不同的温度特性来达到温度补偿,它采用全CMOS结构,具有电路结构简单,温度特性好,版图面积小的优点。基于CSMC0.5μm模型库对其进行了仿真,所设计电路的静态电流是400nA时,当温度在-20-110℃的范围内变化时,电流大小仅改变了3.17nA,且具有二阶温度补偿。