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研究了衬底温度从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭的温度区随ａａ－Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区。分析了ａ－Ｓｉ：Ｈ中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系。
氢化非晶硅光电导研究中的新现象
【摘 要】
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研究了衬底温度从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭的温度区随ａａ－Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区。分析了ａ－Ｓｉ：Ｈ中这种新现象与费米能级位置
【机 构】
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南京大学物理系
【出 处】
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南京大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1995年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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