【摘 要】
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研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进
【机 构】
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大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室
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研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样品绝缘性、击穿电荷量及寿命等可靠性能均明显提高,再经过ECR氮氢混合等离子体表面处理后样品可靠性进一步提升,预计在3 MV/cm场强下平均寿命可达到10年左右。通过C-V特性测试及界面组成分析对改善样品可靠性的物理机理进行研究,发现ECR氮氢混合
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