【摘 要】
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用阳极氧化方法在N-InP与金属之间夹入薄层自体氧化物,得到了势垒高度φB>0.70eV,理想因子n=1.1～1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中测出一个位于导带之下0.62eV的较深的电子陷
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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用阳极氧化方法在N-InP与金属之间夹入薄层自体氧化物,得到了势垒高度φB>0.70eV,理想因子n=1.1～1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中测出一个位于导带之下0.62eV的较深的电子陷阱。最后,采用稍加修正的肖特基势垒模型解释了势垒高度的增加。结果表明,氧化层中的固定电荷对势垒高度的影响是极其重要的。
A thin layer of self-oxide was sandwiched between the N-InP and the metal by the anodization method to obtain a Schottky junction having a barrier height φB> 0.70 eV and an ideal factor n = 1.1 to 1.4, and the DLTS method was used in the junction A deep electron trap at 0.62 eV below the conduction band was detected. Finally, a slightly modified Schottky barrier model is used to explain the increase in barrier height. The results show that the influence of the fixed charge in the oxide layer on the height of the barrier is extremely important.
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